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对于晶体材料而言，旗插其中的缺陷与周围原子之间会以一定的概率发生一种叫做Vacancy-assistedatomdiffusion的原子扩散活动，旗插而对于纳米材料而言，其体内、表面的所有缺陷均可参与其中，并且其体内的缺陷可以很大概率扩散到表面。更重要的是，上火什说中该工作为所有涉及纳米晶体领域的科研工作者提供了一种操控晶格环境的新思路，其潜在应用令人期待。

为了验证这一猜想，国人研究团队合成了直径约为7纳米的超小发光纳米晶（NaGdF4:Yb/Tm），并采用惰性壳(NaYF4)进行包覆。挑战(g)原始核-壳纳米粒子以及在980nm激发(4Wcm−2)下使用和不使用Y3+退火的纳米粒子的上转换发射光谱。地狱(b)Yb-L3EXAFS光谱的傅立叶变换的实验（点）和拟合（实线）结果。

此外，难度除Y3+外，Gd3+的OA配合物也可以起到相近的效果。通过有效地填补扩散到表面的空位,纳米晶内的缺陷数量显着减少，星红星从而提高其发光性能（iii）。

旗插这些缺陷对于荧光纳米材料而言严重限制了高发光亮度材料的开发。

上火什说中这种连续运动导致空位辅助原子扩散(ii)。基于单颗粒析氢反应极化曲线，国人计算得到反应电流密度和TOF值

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